Специалисты из новосибирского Института физики полупроводников им. Ржанова (ИФП) СО РАН разработали технологию создания флешки будущего, которая будет работать в 2-3 раза быстрее современных аналогов и дольше сохранять информацию.
Как сообщает официальное издание СО РАН "Наука в Сибири", это стало возможным благодаря применению мультиграфена.
Речь идет о нескольких слоях графена - одного из самых перспективных материалов, который можно представить как плоскость графита
Как сообщает официальное издание СО РАН "Наука в Сибири", это стало возможным благодаря применению мультиграфена.
Речь идет о нескольких слоях графена - одного из самых перспективных материалов, который можно представить как плоскость графита
