Создан самый быстрый в мире транзистор

При тестировании изделия в криогенной камере при температуре около минус 269 градусов Цельсия удалось показать результат почти в 800 ГГц.

Исследователи из Технологического института Джорджии (США) и Института инновационной высокопроизводительной микроэлектроники (Германия) продемонстрировали в действии самое быстродействующее устройство на базе кремния изо всех, когда-либо созданных человеком.

Учёные получили кремниево-германиевый транзистор (SiGe), способный функционировать на частоте в 798 ГГц.